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Nexperia推出大功率GaN场效应晶体管 具成本优势

  据外媒报道,功率和分立器件专家Nexperia采用硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)技术,推出第一款大功率GaN场效应晶体管。

  Nexperia公司MOS分立式器件业务集团总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia准备进军高压领域,因此推出这一战略举措。现在,我们能够提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术已经可以量产,满足大批量应用。汽车行业是Nexperia关注的重点领域,随着电动汽车取代传统内燃机汽车,成为个人和公共交通的首选工具,预计未来20年该行业将显著增长。”

  该工艺在大型硅衬底上生成GaN厚外延层,并获得合适的外延性能,因此,可以利用标准的150mm晶圆生产线,进行初级生产,具有批量生产所需的可扩展性,以及成本优势。

  650V GAN063-650WSA的栅极电压为±20V,工作温度在-55至+175°C之间。产品特色在于,导通电阻低至60 m,可以减少损耗,支持频率切换,提高电源效率。重要的是,该产品采用业内常用的标准TO-247封装,更便于设计者操作,提升产品性能。

  GAN063-650WSA GaN场效应晶体管是Nexperia旗下GaN系列设备首款产品,适用于汽车、通信基础设施和工业领域。

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